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mos管发热的主要原因是什么1.的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。Diodes推出超小型封装的高性能MOSFET：：:电子产品世界Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻(ROJA)为256oC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。Diodes率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关(loadswitching)、信号转换(signalswitching)及升压转换(boostconversion)应用。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的散热片。Diodes达尔：突破性TIBAW谐振器技术打造全新电子心跳-微型技术，影响全球北京2019年2月28日电//--每个电子系统都必须要有心跳--时钟信号，它可以帮助每个组件完美同步的运行。Diodes达尔：突破性TIBAW谐振器技术打造全新电子心跳图一几十年来，设计人员一直使用石英晶体来产生这种电子心跳。通过晶体振荡，实现的节奏。但当这些昂贵的晶体出现磨损时，它们就会抖动或跳变，进而影响计时的性。近日，Diodes达尔发布了两款全新的基于体声波(BAW,bulkacousticwave)谐振器技术的核心产品。这些微型计时器尺寸仅有100微米，比头发的直径还小，但它们的运行频率远远高于石英晶体。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

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