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根据框架的数目和支承的形式以及附件的性质决定陀螺仪的类型有：

二自由度陀螺仪(只有一个框架，使转子自转轴具有一个转动自由度)。

根据二自由度陀螺仪中所使用的反作用力矩的性质，可以把这种陀螺仪分成三种类型：

积分陀螺仪(它使用的反作用力矩是阻尼力矩)；

速率陀螺仪(它使用的反作力矩是弹性力矩)；（一）常用的检测方法集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。1．非在线测量非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。2．在线测量在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏。3．代换法代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以判断出该集成电路是否损坏。（二）常用集成电路的检测1．微处理器集成电路的检测微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。

无约束陀螺(它仅有惯性反作用力矩)； 　　现在，除了机、电框架式陀螺仪以外，还出现了某些新型陀螺仪，如静电式自由转子陀螺仪，挠性陀螺仪，激光陀螺仪等。

三自由度陀螺仪(具有内、外两个框架，使转子自转轴具有两个转动自由度。在没有任何力矩装置时，它就是一个自由陀螺仪)。晶体管成本一直按照芯片解密所说，不断下降，直到20纳米节点时出现次反转。由于芯片解密影像的延迟实现，原本期待于22纳米节点就引入EUV技术的制造商们不得不采取备选方案，例如采取的多重图形技术等，但这样会增加掩膜工艺，导致芯片制造成本大幅度增加、工艺循环周期延长。目前，16纳米工艺成本已经很高，如果继续采取浸润式多重微影制程技术，到10纳米节点时，成本可能增加至1~1.5倍。此外，随着scaling的不断推进，工艺制程技术的发展在穿孔、光刻、隧穿、散热等方面上都碰到了越来越多的解密技术瓶颈。要改进光刻技术，还要解决散热问题，同时工艺推进所需要的精密生产设备投入也越来越高，这些都是阻碍半导体发展按照芯片解密前进的挑战。PA的电源线采用扼流线圈。如果扼流线圈出现电压下降，就会影响PA特性，因此希望电感器的直流电阻尽可能小。一级的输出功率较小，因此流过扼流线圈的电流较小;随着后一级输出功率的增大，流过扼流线圈的电流将增大。另外，经常会有PA内的扼流线圈写入多层基板的情况发生、扼流线圈占据了PA的大部分面积，就会阻碍PA本身的小型化。村田为PA的小型化做出了贡献，在电流较小的初段，推荐使用薄膜型的LQP03TN_02系列（0.6×0.3毫米）。另外、在电流较大的后端，推荐使用PA扼流专用的LQP03P系列（0.6×0.3毫米）产品。此外、这里的链接介绍了DCDC变流器以及PA间的电源线噪音措施案例，推荐了措施LQW15C系列（1.0×0.5mm）。

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