和田泥瓦工培训学校

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IR推出优化版车用功率MOSFET芯片组：：电子产品世界全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出了一款优化版车用DirectFET?2功率MOSFET芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用。新型40V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2MOSFET和AUIRL7736M2MOSFET，有助于大限度减少DC-DC转换器的开关和传导损耗。这些器件也可用于更普遍的重载应用，如泵和风扇的变频驱动器，以及替代接线盒应用中的继电器。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“DirectFET2功率封装提供了低电阻及低于D2Pak10倍的寄生电感。

这里有几个原因：一是因为65nm的成本下降了，由于65nm是从90nm衍生过来，转移过程比较顺利，不像之前由0.13um或0.18um向90nm转移时成本会大幅地提升，所以台积电可以更有效地控制成本；二是中国IC设计公司的产品在升级，他们对于先进工艺的需求自然也提高了。我认为对TD-LTE而言，65nm技术稍嫌不足，建议中国IC设计公司应该及早采用40nm技术来进行产品研发。事实上，我们一些国际用户都已经采用40nm工艺来设计LTE芯片了。儘管LTE预计到三年以后才会出现应用，但如果三年后国内设计公司才采用40nm進行研發，那时国际半导体业可能已经进入到28nm的水平，所以中国IC设计公司的CEO要掌握这个趋势。

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