化州泥瓦工培训学校

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目前，第三代半导体功率器件发展方向主要有碳化硅和氮化镓两大方向，碳化硅和氮化镓等第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高，在功率半导体领域有很大的应用潜力。碳化硅拥有更高的热导率和更成熟的技术，氮化镓高电子迁移率和饱和电子速率、成本更低的优点，两者的不同优势决定了应用范围上的差异。

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