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Virtex?-7 FPGA VC709 连接功能套件是一款速率为 40Gb/s 的高速平台,您可以通过评估和开发连接功能,迅速为包含所有必要软硬件和 IP 核的高带宽和高性能应用提供强大的支持。它包括一个含有 PCI Express Gen 3、Northwest Logic 公司推出的 DMA IP 核、10GBase-R、A 以及与外部 DDR3 存储器相连的 FIFO 存储器控制器的 40Gb/s 目标参考设计。为了控制和监控此设计,本套件还包含一个在含有所有软件驱动程序的 Fedora Live OS 基础上构建的连接功能 GUI。此外,套件包含设计启用的 2 个光纤电缆和 4 个收发器组件。
即便是没有足够的功率或者在VBUS上根本就没有电源的情况下也是如此。图LTC3555电源通道方框图。当VBUS可用时并且电源通道开关调节器时,就可以通过SW将电源从VBUS送到VOUT(见图2)。VOUT驱动外部负载(图1中的开关调节器1,2和3)和电池充电器组成的混合负载。如果混合负载没有超过电源通道开关调节器的编程输入电流限制,VOUT将跟踪0.3V(电池电压以上)。通过保持电池充电器上的电压为低,效率被优化,因为损失到线性电池充电器上的功率被减到了小,其结果是送到负载上的可用功率被优化。如果VOUT的混合负载足够大,能引起开关电源达到编程输入电流的限制值,电池充电器将充电电流降低所需的量。
如果负载电流增加到超过了开关调节器所允许的功率,将会通过理想二极管从电池吸取功率。此外,如果到VBUS(USB或墙体适配器)的功率被拔掉,则所有的应用功率将都经过理想二极管由电池提供。从输入功率到电压为VOUT的电池功率的转换非常快,只允许使用一个3uF的电容器来避免VOUT下降。实现这一点是可能的,因为该理想二极管中包括一个精密放大器,当VOUT上的电压比电池电压低大约15mV(VFWD)时,放大器启动一个大功率的片上P沟道MOSFET晶体管。内部理想二极管的电阻大约为180mΩ,利用一颗外部电阻,该值可以减小到50mΩ。市场研究机构统计显示,2015年中国工业机器人市场价值达13亿美元,并将保持20%的年复合成长(CAGR)。瑞萨科技公司宣布,作为带有片上闪存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7个家族30款新产品已经实现了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族适用的应用包括电源控制和电机控制,采用32引脚封装,而R8C/2H和R8C/2J采用20引脚封装。样品将于2007年8月28日开始在日本交付。R8C/Tiny系列MCU全部带有片上闪存,并结合了高性能与易用性。增加的30款新产品将R8C/Tiny系列中的产品总数增加到268个。通过增加适用于如电源控制和电机控制特殊领域的产品,扩展了通用产品的现有阵容,瑞萨科技可提供完美满足特殊消费需求的解决方案。7款新家族产品可提供以下特性。
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