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半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,2009年,、工业和信息化部联合下发了《电子信息产业技术进步和技术改造投资方向》,文件明确将覆盖产品设计、芯片制造、封装测试等环节的半导体行业整体链条作为未来三年技术进步和技术改造的重点投资方向。从我国半导体分立器件产业链分布来看,下游器件封装行业厂商较多,市场集中度相对较低,产业规模发展迅速。而上游原晶片、分立器件芯片等环节由于进入壁垒较高,涉足企业较少,导致分立器件芯片尤其是高端芯片仍需依赖进口。半导体分立器件芯片产业链环节投入的不足,将成为制约下游封装企业产能进一步扩张的瓶颈。2011年,欧债使西方发达国家市场全面陷入需求疲软状态,加上日本大地震造成的市场冲击。
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足以让许多一线IC设计业者决定采用FinFET技术。此外,台积电与格罗方德近皆宣布,有意在14奈米FinFET技术上线2年后推动10奈米制程。检视各家晶圆厂FinFET量产表,以及用来指涉14及10奈米制程的相关名称,因其系出于行销需求,所以不具重大意义。一般咸认,晶圆代工厂的代16/14奈米FinFET制程会较近似英特尔的22奈米制程,而晶圆代工厂10奈米的第二代FinFET制程,则比较接近英特尔14奈米的第二代FinFET技术。复杂架构掀波澜FinFET引发产业连锁反应比较不同厂商的FinFET技术时,须考虑下列因素,首先是安谋国际(ARM)核心的晶片尺寸、静态随机存取记忆体(SRAM)的晶粒大小(CellSize)、设计规则、单元资料库内轨道的数量、速度及电力消耗。
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快可望于2013年第三季开始试产FinFET制程,准备好投入量产则将在2014年第三季以后,如图2为英特尔与晶圆代工业者的FinFET制程生产表预测;届时,IC设计业者与晶圆代工厂合作下,将推出以FinFET技术为基础的应用处理器,与IDM业者共同角逐市场商机。在FinFET制程技术方面,多数晶圆代工厂选择在晶圆前段闸极制程(FEOL)采用14奈米FinFET技术,后段互连制程(BEOL)则仍使用20奈米。就某种程度而言,混合式的代14奈米FinFET制程,其实就是20奈米电晶体技术,再加上能持续提升效能与耗电效率的新型装置结构。此种混搭制作方法或许不能在设计上缩小晶粒尺寸,但效能提高、减少电力消耗与缩短上市所需等优点。
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与32奈米方案相比,Silvermont能让SoC的峰值效能提升三倍,且相同效能下可减少五倍耗能。至于14奈米FinFET技术,英特尔的Broadwell与CherryTrail可能成为次世代系统单晶片,将利用代号Airmont的架构,在同一个晶粒上结合CPU、GPU和微控制器(MCU)。这个新型微架构将是英特尔与安谋国际big.LITTLE架构一决高下的重要利器。显而易见,英特尔似乎在技术、设计与生产能力上略胜一筹,准备以自家晶片在行动领域带动成长。不过,英特尔新任执行长在未来的经营上仍充满挑战,尤其是行动装置业务方面,为与高通、联发科竞争,其须改变自身组织、降低生产成本、提高晶圆厂产能利用率。
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